富士通研、C〜Ku 帯で窒化ガリウム HEMT 送受信モジュールを開発

富士通研究所は2011年6月6日、窒化ガリウム（GaN）高電子移動度トランジスタ（HEMT：High Electron Mobility Transistor）を用い、C帯（4GHz〜8GHz）/X帯（8GHz〜12GHz）/Ku帯（12GHz〜18GHz）の3帯域である 6〜18GHz の広帯域で、10W の出力を有する世界初の送受信モジュールの開発に成功した、と発表した。
昨年開発した世界最高性能を有する送信増幅器と、新開発の受信増幅器を搭載した、小型で高出力の送受信モジュール。
このモジュールにより、周波数ごとに必要だった複数の通信装置を1つに統合、レーダー機器やワイヤレス通信機器を小型化できる。
技術の詳細は、6月5日から米国ボルチモアで開催の、マイクロ波の国際学会「IEEE MTT 2011 International Microwave Symposium」（IMS2011）で発表する。
 



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