ルネサス、高速 DRAM 専用電源で実装面積約60％削減のパワー半導体を製品化

ルネサス、高速 DRAM 専用電源で実装面積約60％削減のパワー半導体を製品化 ルネサス エレクトロニクスは2011年1月19日、高速 DRAM 専用電源としてパワー半導体（POL コンバータ）「R2J20751NP」を製品化した、と発表した。

PC やサーバー、プリンタの高速 DRAM 向け。25A 対応製品では業界初の電源用パワー MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor：金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ）と電源コントローラをパッケージ化し、電源システムを小型化、省電力化した。

2月からサンプル出荷を開始する。サンプル価格は1個あたり315円で、3月から量産開始の予定。2012年3月以降は月産50万個を計画。

R2J20751NP は、5V の電圧をメモリ向けに 1.5V に変換する POL コンバータで、チップの微細化と実装技術などにより、2つのパワー MOSFET とその駆動を制御する電源コントローラ（ドライバ内蔵 PWM コントロール IC）を 6mm×6mm の超小型パッケージに搭載したもの。同社比で約60％、実装面積を削減した。また、25A 対応製品で効率94.5％と、装置を省電力化した。

PC やサーバーに搭載される半導体の低電圧化で、高速 DRAM（DDR 型）などの電源システムには、低電圧・大電流化への対応が求められているが、大電流駆動には電源システムに使用するパワー MOSFET や受動部品などの搭載数が増えるため、実装面積低減が大きな課題となっている。

R2J20751NP は、この解決策として、パワー MOSFET と電源コントローラ（ドライバ内蔵PWM コントロール IC）を1パッケージ化し、実装面積を大幅に低減、電力変換効率も向上させた。

 




http://rss.rssad.jp/rss/artclk/IpzPL9ZuTgAc/33af1e422641af59240cafa31738a14f?ul=pdW63Boohx5yJvTjHXvfK5eOz7YKRdvPO5rY8tQC1h8AVntgN_xW9JvKJlim7BM4UFEi0JTfbD4nMfnvJilVf_q7VShO

外国に比べたら本当に小さい国のわが日本ですが、世界でも上位の
先進国でもありますよね。なんかイメージ的にアメリカの腰ギンチャク
って思う方もいるかもしれませんが、私はそれでいいと思っています。
仲良きことは何とやらですよ！

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